光刻工藝中g(shù) 線、i 線、KrF、ArF、ArFi、EUV?是什么？

· g 線：指波長為 436nm 的光，屬于紫外光，對應(yīng)的是**代光刻機。g 線光刻機采用接觸接近式曝光方式，適用于制造特征尺寸較大的芯片，如早期集成電路制造或?qū)€寬要求不高的器件，對應(yīng)技術(shù)節(jié)點≥0.5μm。

· i 線：波長為 365nm 的紫外光，是第二代光刻機采用的光源。同樣采用接觸接近式曝光，用于 350 - 500nm 尺寸的半導(dǎo)體工藝，對應(yīng)技術(shù)節(jié)點為 0.35 - 0.25μm。

· KrF：指的是波長為 248nm 的 KrF 準(zhǔn)分子激光，是第三代投影式光刻機的光源。這種光刻機以掃描方式實現(xiàn)曝光，將集成電路制造工藝推進到亞微米級別，對應(yīng)技術(shù)節(jié)點為 0.25 - 0.13μm。

· ArF：波長為 193nm 的 ArF 準(zhǔn)分子激光，屬于第四代光刻機光源。與 KrF 光刻機原理相同，但光源波長更短，光刻分辨率更高，適用于從 0.13μm 到幾十納米乃至數(shù)納米級別的芯片制造。

· ArFi：即浸潤式 ArF 光刻機，是在 ArF 光刻技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展而來的。它采用水作為介質(zhì)，利用光在水中的折射特性，使等效波長縮短，提高光刻分辨率。雖然采用 193nm 波長光源，但經(jīng)水折射后等效于 134nm 波長的光源，可實現(xiàn)更高的分辨率，能用于更**的制程節(jié)點。

· EUV：指波長為 13.5nm 的極紫外光，是第六代光刻機采用的光源。EUV 光刻機采用反射式光學(xué)系統(tǒng)，需要在高真空環(huán)境下工作，用于 7nm 及以下的**制程節(jié)點，是高性能處理器與**存儲芯片制造的關(guān)鍵工藝之一。

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