華南理工AM：EQE超30%的高效PeLED，半峰全寬18nm！通過離子誘導生長法組裝實現

金屬鹵化物鈣鈦礦是一種具有成本效益的半導體，在高效、純色發(fā)光二極管(LEDs)顯示技術中具有很大的應用前景。早期對三維(3D)鈣鈦礦的研究表明，由于激子結合能適中，其輻射效率較低。為了提高發(fā)光性能，降低維度或減小晶粒尺寸是一種常見方法，然而，將鈣鈦礦晶格分成更小的單元可能會阻礙載流子傳輸，從而影響電性能。此外，增加的表面積引入了額外的表面陷阱狀態(tài)，導致更大的非輻射復合。

在這篇文章中，華南理工大學馬東閣、陳江山，澳門大學邢貴川等人采用離子誘導生長方法制備了晶格錨定鈣鈦礦納米復合材料，以獲得高效、高色純度LEDs。這種方法使得由3D CsPbBr3及其零維(0D) Cs4PbBr6變體組成的納米復合薄膜具有顯著的低陷阱輔助非輻射復合、波紋表面光輸出耦合增強和良好平衡的電荷載流子傳輸。基于所制備的3D/0D鈣鈦礦納米復合材料，鈣鈦礦LEDs (PeLEDs)在521nm發(fā)射峰處獲得了31.0%的顯著外量子效率，半峰處全寬僅為18nm。這為高性能PeLED研究中的顏色純度設定了新的基準，突出了該方法的顯著優(yōu)勢。

文獻信息

Ions-induced Assembly of Perovskite Nanocomposites for Highly Efficient Light-Emitting Diodes with EQE Exceeding 30%

Zhaohui Xing, Guangrong Jin, Qing Du, Peiyuan Pang, Tanghao Liu, Yang Shen, Dengliang Zhang, Bufan Yu, Yue Liang, Dezhi Yang, Jianxin Tang, Lei Wang, Guichuang Xing*, Jiangshan Chen*, Dongge Ma*

https://doi.org/10.1002/adma.202406706

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